芯片雪崩效应（芯片的雪崩测试）

        雪崩效应是在芯片电压超过 5 V时可能出现的一种效应。PN 结的电场会使过渡区中的电子加速，产生电子空穴对。这些空穴会向负极移动并填上电子，而自由电子则向正极移动。不断移动的空穴和电子通过释放相邻的束缚电子，可以产生更多携带高场强的电荷载流子。

电荷载流子大量产生的过程迅速发展成雪崩，因此如果超过特定的反向电压，就会有大量电流开始流动。