区别如下:
晶体管和三极管都是半导体器件，但是它们的结构和功能有所不同。
晶体管是一种二极管，它由三个区域组成：发射区、基区和集电区。晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来调节集电区的电流。当基区施加正向电压时，发射区的电子会被加速，从而流入基区，使得基区的电流增加，集电区的电流也会随之增加。当基区施加反向电压时，发射区的电子无法通过基区，因此集电区的电流减小。
三极管也由三个区域组成：发射极、基极和集电极。但是三极管的基极区域比晶体管更大，因此三极管可以承受更大的电流。三极管的工作原理是通过控制基极的电流来调节集电极的电流。当基极施加正向电压时，发射极的电子会被加速，从而流入基极，使得基极的电流增加，集电极的电流也会随之增加。当基极施加反向电压时，发射极的电子无法通过基极，因此集电极的电流减小。
因此，晶体管和三极管的区别在于结构和功能上的不同。晶体管适用于低功率放大电路，而三极管适用于高功率放大电路和开关电路。
