原理就是在纯净的半导体中通过掺杂后,得到两种半导体,即N型与P型半导体。
由于掺杂,在两类半导体内产生了两种参与导电的元素即:自由电子和空穴。如果把两类掺杂半导体通过特殊工艺结合在一体,就会出现电子与空穴的扩散、漂移和复合等运动现象,这种运动现象导致在两类半导体结合部位形成pn结。
半导体原理是在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。
原理就是在纯净的半导体中通过掺杂后,得到两种半导体,即N型与P型半导体。
由于掺杂,在两类半导体内产生了两种参与导电的元素即:自由电子和空穴。如果把两类掺杂半导体通过特殊工艺结合在一体,就会出现电子与空穴的扩散、漂移和复合等运动现象,这种运动现象导致在两类半导体结合部位形成pn结。
半导体原理是在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。