半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类:
第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P、As);
第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。