1)只能用电阻档离线测量,低压端的几组线圈阻值很小,检测时可以和同型号的进行比较。没有开路或明显断路,一般就没问题。
2)高压端有个高压硅堆,所以有一个方向是无穷大的,另外一个方向的电阻比较大,需要10K档测量。测得结果如上,证明有单向导电性,那么硅堆没问题。
3)用高阻档检测高、低压端之间有没有击穿,无穷大一般就没问题。 以上方法无法检测软击穿的故障。最好就是利用替换法排除高压包是否损坏。
1)只能用电阻档离线测量,低压端的几组线圈阻值很小,检测时可以和同型号的进行比较。没有开路或明显断路,一般就没问题。
2)高压端有个高压硅堆,所以有一个方向是无穷大的,另外一个方向的电阻比较大,需要10K档测量。测得结果如上,证明有单向导电性,那么硅堆没问题。
3)用高阻档检测高、低压端之间有没有击穿,无穷大一般就没问题。 以上方法无法检测软击穿的故障。最好就是利用替换法排除高压包是否损坏。