原理：芯片中金属线或者多晶硅等导体,就象是一根根天线,当有游离的电荷时,这些“天线”便会将它们收集起来,天线越长,收集的电荷也就越多,当电荷足够多时,就会放电。
IC 现代工艺中经常使用的一种方法是离子刻蚀，这种方法就是将物质高度电离并保持一定的能量,然后将这种物质刻蚀在晶圆上,从而形成某一层。理论上,打入晶圆的离总的对外电性应该是呈现中性的,也就是说正离子和负离子是成对出现,但在实际中,打入晶圆的离子并不成对,这样,就产生了游离电荷。
另外,离子注入也可能导致电荷的聚集。可见,这种由工艺带来的影响我们是无法彻底消除的,但是,这种影响却是可以尽量减小的。 在CMOS 工艺中,P 型衬底是要接地,如果这些收集了电荷的导体和衬底间有电气通路,那么这些电荷就会跑到衬底上去,将不会造成什么影响;如果这条通路不存在,这些电荷还是要放掉的, 那么,在哪放电就会对哪里造成不可挽回的后果。
