lrf3205是场效应管。
场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
基本参数
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:110A
Qg Typ: 97.3 nC
FET极性: N型沟道
lrf3205是场效应管。
场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
基本参数
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:110A
Qg Typ: 97.3 nC
FET极性: N型沟道