原理是利用光线投射技术实现芯片制造过程中的图案精细绘制。
具体原理如下：
1. 光源系统：国产光刻机使用紫外线（通常波长为193纳米或248纳米）作为光源，通过激光器或放电光源产生高强度的紫外线光束。
2. 掩膜系统：通过技术手段将微小图案以纸版或光刻掩膜的形式制作出来，然后将其放置在光刻机的光路中，用于对光进行模式设定。
3. 光学投射系统：国产光刻机采用透镜或反射镜的组合，通过对光束进行调节、扩束和聚焦，使之形成一定尺寸的图案。
4. 映像系统：光刻机利用透射或反射光学系统将光束映射到半导体硅片表面，经过光影追踪、校正和调节后，使图案以高分辨率投射到硅片上。
5. 遮罩对位系统：用于确保光线瞄准到硅片上的正确位置。通过高精度的自动对位机构，将图案与硅片上既有的基准点对齐，以保证光刻工艺的精确性。
6. 半导体硅片处理：硅片表面涂布光刻胶，并在光刻机上进行旋转、烘烤等处理，以使光刻胶在硅片表面形成均匀且光滑的薄膜，以便与光刻机处理系统相互作用。
7. 曝光和显影过程：工艺师根据设计要求，将映像图案以数字信号的形式导入光刻机的控制系统，通过精密控制曝光和显影过程，将光束照射到光刻胶上，形成图案。
8. 光刻胶去除：将光刻胶投影的图案通过化学或物理方法进行去除，暴露出芯片表面的特定部分。
9. 后续加工：经过光刻的芯片表面可以进行接下来的腐蚀、沉积、离子注入等制程，最终完成电子器件的制造。
总之，国产光刻机通过精密的光学投射、对位系统和光刻胶处理，实现对硅片表面的精细图案绘制，是集光学、机械和化学等多个学科原理于一体的高精密和高自动化设备。
