As的第一电离能大于Se的原因可以从原子结构和电子排布的角度来解释。
首先，As的原子序数比Se大，这意味着As的核电荷数更多，对核外电子的吸引力更强，使得电子更不容易从原子中脱离。因此，As的第一电离能相对较大。
其次，从电子排布的角度来看，As和Se都有相同的电子排布式，即ns²np⁴。然而，As的原子半径比Se小，这意味着As的电子云密度更高，对电子的排斥力更强，使得电子更不容易从原子中脱离。因此，As的第一电离能进一步增加。
综上所述，As的第一电离能大于Se是由于其原子结构和电子排布的特点所决定的。
因为As的最外层电子排布为4s24p3，而Se的最外层电子排布为4S24P4，As的4P轨道为半充满状态，根据洪特规则，能量低，稳定，因此第一电离能大
