SiC是碳化硅的意思,是由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)系列材料。
它的物理键非常牢固,使半导体具有很高的机械,化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性使SiC器件可以在比硅更高的结温下使用,甚至超过200°C。
碳化硅在电力应用中提供的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压电力设备的关键因素。
SiC是碳化硅的意思,是由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)系列材料。
它的物理键非常牢固,使半导体具有很高的机械,化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性使SiC器件可以在比硅更高的结温下使用,甚至超过200°C。
碳化硅在电力应用中提供的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压电力设备的关键因素。