场管 3N60 损坏的话，可以考虑以下几种替代型号：
1. 4N60：这是一款性能相近的场效应管，可以作为 3N60 的替代品。在电气参数和功率方面，4N60 具有较高的耐压性和电流容量，适用于相似的应用场景。
2. FQP3N60：这款场效应管同样可以替代 3N60，其特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度。在使用过程中，FQP3N60 能够满足大多数电源应用的需求。
3. IRF840：这是一款功率 MOSFET，具有较高的阻断电压和较低的导通电阻。虽然在某些方面与 3N60 有所不同，但 IRF840 在许多应用中可以作为其替代品。
在选择替代品时，请确保新选定的场效应管与原有电路的电气参数和功率要求相匹配。如有必要，请进行相关测试以确保其在应用中的稳定性和可靠性。
请注意，以上建议仅供参考。实际替代型号需根据具体电路要求和设备参数进行选择。如有疑问，建议咨询相关领域的专业人士。
