产品型号:AP60T03GH
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):45
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):44
极间电容Ciss(PF):1135
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,45A N-channel MOSFET
场效应管 AP60T03GH 60T03GH AP60T03H
产品型号:AP60T03GH
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):45
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):44
极间电容Ciss(PF):1135
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,45A N-channel MOSFET
