可控硅的好坏可以通过以下几个方面进行测量：
1. 静态特性测试：包括正向导通电压、反向阻断电压、触发电流、保持电流等参数的测试，这些参数可以通过测试仪器进行测量。
2. 动态特性测试：包括开关速度、开关损耗、反向恢复时间等参数的测试，这些参数可以通过示波器等测试仪器进行测量。
3. 可靠性测试：包括温度循环测试、高温高湿测试、脉冲电流测试等，这些测试可以模拟实际工作环境下的应力情况，评估可控硅的可靠性。
通过以上测试，可以评估可控硅的性能和可靠性，判断其好坏。
可控硅的好坏可以通过以下几个方面进行测量：
1. 测量导通电压：可控硅导通时，正向电流不可逆转，电阻变得很小，并且在正向电压下导通。因此，可以用数字万用表或示波器等仪器测量可控硅的导通电压，如果电压值超过规定的允许值，说明可控硅已经失效。
2. 测量反向电压：可控硅反向电压也需要注意，如果超过规定的允许值，说明它的反向击穿电压已经达到了极限，也说明可控硅已经失效。
3. 测量触发电流：用数字万用表测量可控硅的触发电流，如果触发电流超出规定值，说明可控硅工作不稳定。
4. 测量关断时间：测量可控硅的关断时间，即从停止加电到停止通电的时间，如果关断时间过长，则说明可控硅失效或老化。
5. 测量漏电流：可控硅在关闭状态下，应该没有漏电流，如果有漏电流存在，则说明可控硅已经失效。
