第一种、
可以使用如下公式估算，
Ig=Qg/Ton
其中，
Ton=t3—t0≈td(on、 +tr t d。on， ， MOS导通延迟时间。从有驶入电压上升到10，开始到VDS下降到其幅值90、的时间.
Tr:上升时间.输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=(CEI) 。VGS。或Qg=Qgs+Qgd+Qod ，可在datasheet中找到)
第二种、 。第一种的变形，
密勒效应时间(开关时间、 Ton/off=Qgd/Ig、
Ig=[Vb—Vgs(th， ]/Rg。
Ig、 MOS栅极驱动电流。 Vb:稳态栅极驱动电压;
第三种，
以IR的IRF640为例。看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线.该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通。密勒效应，假定你希望在0。 2us内使管子开通,估计总时间。先上升然后水平再上升)为0。 4us,由Qg=67nC和0.4us可得。 67nC/0。4us=0. 1675A,当然。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0。 2us里有电流,其他时间几乎没有电流、平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢.
没法估算.
因为行业标准,就是用电流元,充电Qg电量后,MOS导通.
但人们用的是电压元.
所以Qg并没有意义.
你需要注意的是,电流不要超过driver的驱动能力.
那么剩下的,就是用示波器,才找到合适的参数.
需要指出的是,driver的输出电流,不是电流元.
