既然是半导体话题下那我假设你问的只是半导体存储器啊……硬要分三类的话就SRAM、DRAM、ROM吧……
大类上半导体存储器一般分为两类：挥发式（易失式）和非挥发式（非易失式）。挥发式指的是断电后数据会全部丢失的存储器，非挥发式则是与之相对，断电后数据不会丢失。
然后挥发式现在主要是两类：SRAM和DRAM。RAM指的是随机访问存储器（Random Access Memory），意思是相对于磁带磁盘这些需要先让读写头到达对应位置才能读取指定数据的存储器，它可以即时读取任意位置的数据。
SRAM是静态随机访问存储器（Static Random Access Memory），可以用触发器锁存器之类的方式实现，当然最常用的是6管SRAM单元。它的特点是只要没有断电数据可以一直保存下去，不会丢失，读写速度快，但是面积、功耗较大。常见于CPU缓存。
DRAM是动态随机访问存储器（Dynamic Random Access Memory），用电容来存储信息，写入时打开开光将电容充电/放电到指定电位然后关闭开关，读取时打开开关读取电容电位。由于电容会缓慢漏电，所以DRAM必须定时重新读取/写入原有数据，否则时间一长数据就会丢失，所以叫“动态”。优点是面积极小，相对SRAM便宜很多。常见于内存。
硬盘啊软盘啊光盘全都属于非挥发式存储器，但是半导体存储器里面非挥发式的主要就是ROM了。
ROM指的是只读存储器（Read Only Memory），只能读不能写，一般是通过半导体开关实现。ROM阵列有一组地址线配上一组位线，地址线和位线间可以通过晶体管短路或断路。读取的时候选中对应的地址线和位线，然后如果它们是短接的就是1，断开的就是0，这样来存储数据。
然后ROM这东西不能写，用起来不大方便，于是又有了PROM（Programmable Read Only Memory），可写只读存储器（咋这么矛盾捏…）。这玩意的原理是在ROM的基础上，每个连接地址线和位线的晶体管初始都是断开的（相当于全0）。然后写入的时候使用很高的写入电压，选中需要写1地址把对应的晶体管击穿，这时候这些晶体管变成了短路，就把数据写进去了。
由于PROM这玩意只能写入一次，不可擦除，还是不方便，于是又有了EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory），可擦写只读存储器。EPROM的击穿是可逆的，只要用一定强度的紫外线照射芯片就能恢复原始状态，然后就又可以写入了。
但是EPROM还是不够简单，首先你要有透明封装否则紫外线照不到硅片上，然后找紫外光源也挺麻烦的。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory），电可擦写只读存储器就登场了。EEPROM改变了传统ROM晶体管开关的结构，在MOS的栅极和沟道之间埋入了一个悬浮的栅极——浮栅。由于浮栅完全被氧化层包裹，所以上面的电荷基本不会泄露，电位可以长时间保持不变。写入的时候在上方的栅极加高压，击穿它和浮栅间的氧化层改变浮栅电位即可改变这个晶体管的通断情况。Flash就是一种大规模的EEPROM。
其他还有一些已经被淘汰的或是还在实验没有大规模商业应用的半导体存储器，我就不列举了。
