2003 驱动芯片是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN 达林顿管组成。每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路 直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
工作电压高,工作电流大,灌电流可达500mA,并且能够在关态时承受50V 的电压,输出还 可以在高负载电流并行运行。
2003 驱动芯片是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN 达林顿管组成。每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路 直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
工作电压高,工作电流大,灌电流可达500mA,并且能够在关态时承受50V 的电压,输出还 可以在高负载电流并行运行。