三极管的PN结的正向和反向是由内部结构来决定的。
以NPN型三极管的发射结为例,发射区因加入5价元素后,自由电子是多数载流子,而基区是加入了三价元素后形成的掺杂半导体,其空穴是多数载流子。当两块半导体经过特殊工艺结合以后,在结合处形成了内部电场,电场强度(可理解为PN结厚)与外部电场(外加电)有关,当加反向电压,内部电场加强(PN结变厚),发射区自由电子被阻断,PN结截止。
三极管的PN结的正向和反向是由内部结构来决定的。
以NPN型三极管的发射结为例,发射区因加入5价元素后,自由电子是多数载流子,而基区是加入了三价元素后形成的掺杂半导体,其空穴是多数载流子。当两块半导体经过特殊工艺结合以后,在结合处形成了内部电场,电场强度(可理解为PN结厚)与外部电场(外加电)有关,当加反向电压,内部电场加强(PN结变厚),发射区自由电子被阻断,PN结截止。