应该尽量减小可控硅移相触发时的电流冲击和波动,从而降低零线电流。
一般采取以下措施:1. 采用吸收电路,将移相时的电流进行吸收和耗散,通过引入电感、电容等元器件来减缓电流冲击,控制幅值和相位,从而降低零线电流。
2. 选择合适的绝缘材料和合理的布局方式,防止可控硅间死区电流过大,从而导致零线电流过大的问题。
3. 采用控制电路,通过合理设计触发时序,实现可控硅的同时移相,从而有效控制零线电流。
另外,还需要注意选择质量好的可控硅器件,根据实际情况进行合理的设计和调试,以避免零线电流过大的问题。
可控硅移相触发零线电流大怎么解决(可控硅电流异常解决方法)
更新时间:2023-12-06 15:06:07