原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导休材料中痕量杂质的主要分析方法之一,经常采用预富集与AES测定联用技术。
这种联用技术既保持了AES 同时检测多元素的特点,又克服了基体效应和复杂组分的干扰,也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂,从而提高了检测灵敏度。
原子发射光谱法(AES)是测定高纯金属或半导休材料中痕量杂质的主要分析方法之一,经常采用预富集与AES测定联用技术。
这种联用技术既保持了AES 同时检测多元素的特点,又克服了基体效应和复杂组分的干扰,也便于引进行利于痕量元素激发的缓冲剂,从而提高了检测灵敏度。