IGBT是场效应管和三极管的复合元件,它具备场效应管的高阻抗输入,也具备三极管的大电流高电压特性,它是一种压控元件。
它的栅极K是具备电荷存储能力的,如果不加负偏(K与D上并接电阻5-10K欧)电阻释放掉,静电荷能让它永久导通(D和S永久导通)这就是炸管原因,如果你仅仅是测试主回路,在没加负偏电阻的时候,必须串接灯泡或者电炉丝之类的负载之后才可以试机的。
IGBT是场效应管和三极管的复合元件,它具备场效应管的高阻抗输入,也具备三极管的大电流高电压特性,它是一种压控元件。
它的栅极K是具备电荷存储能力的,如果不加负偏(K与D上并接电阻5-10K欧)电阻释放掉,静电荷能让它永久导通(D和S永久导通)这就是炸管原因,如果你仅仅是测试主回路,在没加负偏电阻的时候,必须串接灯泡或者电炉丝之类的负载之后才可以试机的。