因为碳化硅晶片制备得到的氮化硅衬底,是制造碳化硅器件的关键基础材料,为降低碳化硅器件生产成本,大尺寸碳化硅晶片成为发展趋势,所以碳化硅晶片越来越大。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势
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因为碳化硅晶片制备得到的氮化硅衬底,是制造碳化硅器件的关键基础材料,为降低碳化硅器件生产成本,大尺寸碳化硅晶片成为发展趋势,所以碳化硅晶片越来越大。碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势