单层单元闪存俗称SLC，这种类型的闪存在读写数据时具有最为精确，擦写寿命约在9万到10万次之间。
优点：读写速度最快的NAND闪存芯片规格。与任何其他类型的闪存相比，擦写寿命和读写循环的周期最长。读取/写入错误的发生几率更小，并可在跨度更大的温度范围内正常运行。
缺点：市场上最昂贵的NAND闪存类型。通常只有较小的容量。
三层单元简称TLC,是闪存生产中最低廉的规格，其储存达到了3位/单元，虽然高储存密度实现了较廉价的大容量格式，但其读写的生命周期被极大地缩短，擦写寿命只有短短的500~1000次，同时读写速度较差，只适合普通消费者使用，不能达到工业使用的标准。
优点： 较低的生产成本开启了廉价大容量SSD市场。
缺点： 与SLC相比TLC储存单元的擦写寿命要短得多。理论上读写速度与SLC相比慢。
