当前位置:首页>维修大全>综合>

半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿 齐纳击穿 热击穿形成的原因 并说明热击穿与电击穿的异同

半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿 齐纳击穿 热击穿形成的原因 并说明热击穿与电击穿的异同

更新时间:2023-09-28 20:26:24

半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿 齐纳击穿 热击穿形成的原因 并说明热击穿与电击穿的异同

雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。

齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂志,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。

热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率,PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。

热击穿与电击穿的不同:电击穿可逆,而热击穿不可逆。

更多栏目