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8n60场效应管引脚图及参数(20N60场效应管参数)

8n60场效应管引脚图及参数(20N60场效应管参数)

更新时间:2024-12-15 22:01:36

8n60场效应管引脚图及参数

8N60C为N沟道MOS场效应管,其耐压值为600V,ID为8A,TO220封装。引脚排列如图所示:

8N60是N沟道增强型MOSFET,常见为TO220封装,你把有字一面正对自己,管脚竖直向下

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。

与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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