硅（Silicon）：硅是最常用的半导体材料之一，具有良好的热稳定性和可加工性。
砷化镓（Gallium Arsenide，GaAs）：砷化镓是另一种常用的半导体材料，适用于高频率和高功率应用，具有较高的电子迁移率。
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）：碳化硅是一种新兴的半导体材料，具有高电子迁移率和高耐高温性能，适用于高功率电子器件。
磷化铟（Indium Phosphide，InP）：磷化铟是一种广泛应用于光电子器件的半导体材料，具有较高的光吸收性能和较高的电子迁移率。
硫化镉（Cadmium Sulfide，CdS）：硫化镉是一种常见的直接带隙半导体材料，具有良好的光电性能，广泛应用于光电探测器和太阳能电池中。
此外，还有磷化铟镓（Indium Gallium Phosphide，InGaP）、磷化铟锗（Indium Gallium Arsenide，InGaAs）、氮化镓（Gallium Nitride，GaN）等半导体材料，它们在不同的应用领域具有独特的优势和特性。
半导体材料：以单一元素组成的半导体的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。 化合物半导体材料：由两种或两种以上无机物化合成的半导体，种类繁多，已知的二元化合物就有数百种。
