5n川光刻机和刻蚀机的区别主要表现在三个方面:
一、难度:光刻机难，刻蚀机难。
原理:光刻机打印图纸，刻蚀机根据打印的图案蚀刻掉有图案/无图片的部分，剩下的留下。
第三，流程操作不同
(1)掩模版对准:利用光化学反应原理和化学物理刻蚀方法，将掩模版上的电路图形转移到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。在晶圆表面，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻技术也是芯片制造中的核心环节。
(2)、刻蚀机:通过化学和物理的方法，将显影后的电路图永久准确地留在晶圆上，选择性地去除硅片上不需要的材料。有两种蚀刻方法，湿法蚀刻和干法蚀刻。
光刻机又称掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。
通常，光刻工艺须经历清洗和干燥硅片表面、涂底漆、旋涂光刻胶、软烘烤、对准曝光、后烘烤、显影、硬烘烤和蚀刻的过程。
刻蚀机等离子，又称等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子刻蚀机、等离子表面处理器、等离子清洗系统等。
等离子蚀刻是较常见的干法蚀刻形式。其原理是暴露在电子区的气体形成等离子体，产生的电离气体和释放的高能电子组成的气体形成等离子体或离子。当电离的气体原子被电场加速时，它们会释放出足够的力，紧紧地附着在材料上，或者利用表面斥力刻蚀表面。
