需要贵金属和过渡金属材料。
芯片材料共增加了约40余种元素，其中约90%都是贵金属和过渡金属材料。
贵金属是芯片先进工艺的推手之一，英特尔新近引入了金属锑和钌做金属接触，让电容更小，突破了硅的限制。此前，英特尔在10nm工艺节点的部分互连层上率先导入钴材料，达到了5~10倍的电子迁移率改善，将通路电阻降低了两倍。
铪
某些芯片制造商，如英特尔，开始使用具有独特特性的稀有材料来加速他们的芯片组和技术。铪就是其中一种材料，它非常罕见，可用于核反应堆的控制棒，该材料有助于控制其他稀有材料（如铀和钚）的裂变率。铪虽然比金稀有，但可用于处理器的电镀，有时也用于焊盘、引脚和晶体管。它当然不会大量使用，但对于适用的设计来说，它非常重要。
钽和钯
钽和钯通常用于晶体管或电容器，并且通常与硅配对或分层，它们构成了相当多的图形卡 (GPU) 或 RAM（内存）卡，以及许多其他材料。以这种方式将这两种材料分层可以改善较小芯片上的存储，使它们在性能方面更有能力，容量也更大，外形更小。
铬、钴和铂
与闪存不同，带有移动部件的传统硬盘驱动器需要由各种金属制成的磁盘，为此目的使用的一些常见材料包括氧化铁、硅、铜、锌、镍、铝等。然而，一些更重要的材料包括铬、钴和铂，它们比其他材料更稀有。
