DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存 SRAM是英文StaticRAM的缩写，即静态随机存储器. 动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）是一种常见的随机存取存储器，主要的作用原理是利用内存储的多寡来代表一个（bit）是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，“静态”存储器只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。 与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。 与大部分的（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatilememory）设备。
