mos管的动态参数如下
gfs :漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度.
Qg :栅极总充电电量.MOSFET 是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。
Qgs:栅源充电电量.
Td(on) :导通延迟时间.从有输入电压上升到 10％ 开始到 VDS 下降到其幅值90％ 的时间 。
Tr :上升时间.输出电压 VDS 从 90％ 下降到其幅值 10％ 的时间.
Td(off) :关断延迟时间.输入电压下降到 90％ 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10％ 的时间.
Tf :下降时间.输出电压 VDS 从 10％ 上升到其幅值 90％ 的时间。
