HJT电池结构：HJT全称Heterojunction with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅片背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场。而由于非晶硅的导电性比较差，因此在电池两侧沉积透明导电薄膜(TCO)来进行导电，最后采用丝网印刷技术形成双面电极。
►HJT电池实现高转化效率的原理：HJT技术很好地解决了常规电池掺杂层和衬底接触区域的高度载流子复合损失问题
