在不受外加电压影响的PN结中，P区的多子空穴向N区扩散，N区的多子自由电子向P区扩散。
当载流子通过两种半导体的交界面后，在交界面附近的区域里，P区扩散到N区的空穴与N区的自由电子复合，N区扩散到P区的自由电子与P区的空穴复合。
因为电流方向指向空穴移动方向（或自由电子移动的反方向），扩散电流由P区指向N区。
首先理解pn结形成后的电荷状态吧。在电荷区靠P区的是聚集负电荷，在电荷区靠N区是聚集正电荷。此时，电荷区的内部电场方向是由N区指向P区。
当PN结正向偏置时，即给PN结加由P区指向N区的正向电压，那么这个电压所产生的电场就会抵消内部电场（方向跟内部电场相反），（电压所产生的电场）同时导致远离电荷区的P区空穴和N区自由电子向电荷区移动，抵消了电荷区靠近P区的负电荷和靠近N区的正电荷。所以使得电荷区变窄。（好像此时P区的少子自由电子经过电源到达N区，这句有错的话通知我改正）
