MOS管不是由三极管和电容构成，它有自己的独特结构与工作原理。它利用栅极对通道施加的电场来控制源极和漏极之间的导通，而非三极管中基于p-n结控制的电流流动方式。栅极使用电容耦合方式对MOS管施加控制，自身几乎无需带电流。
MOS管（MOSFET）是由金属-氧化物-半导体（MOS）电容型半导体器件实现的，而不是由三极管电容组成的。
MOSFET是一种基于MOS电容技术制造的半导体器件，由于具有高电压电流、低开关电阻、高频响应和可靠性等优点，被广泛应用于功率电子、射频和模拟电路等领域。
MOSFET内部结构由金属-氧化物-半导体电容型结构的栅极、P型或N型半导体基区和N型或P型半导体漏极或源极组成。在正常工作状态下，通过改变栅极电压可以控制栅极与基极之间形成的正向或反向势垒的宽窄程度，从而控制源极与漏极之间的电阻大小，实现电路的开关和放大功效。
因此，尽管MOSFET与三极管同属于晶体管类别的半导体器件，但它们内部电子器件组成和实现原理有很大的不同，MOSFET是由金属-氧化物-半导体电容型结构组成的，而不是三极管电容。
