场效应MOS管IRF9540参数
PD最大耗散功率:140W
ID最大漏源电流:-23V
(BR)DSS漏源击穿电压:-100V
RDS(ON)Ω内阻:0.1Ω
VRDS(ON)ld通态电流:-11A
VRDS(ON)栅极电压:-10V
VGS(th)V开启电压:-2~-4V
VGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA
场效应MOS管IRF9540参数
PD最大耗散功率:140W
ID最大漏源电流:-23V
(BR)DSS漏源击穿电压:-100V
RDS(ON)Ω内阻:0.1Ω
VRDS(ON)ld通态电流:-11A
VRDS(ON)栅极电压:-10V
VGS(th)V开启电压:-2~-4V
VGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA