测量贴片场效应管（MOSFET）的常用方法有以下几种：1. DC参数测量：可以通过测量MOSFET的漏极电流、门极电压和源极电压来得到静态工作点和直流参数。
这可以帮助我们判断MOSFET的工作状态和基本特性。
2. AC参数测量：通过外接信号源和测量仪器，测量MOSFET在不同频率下的小信号模型参数，如增益、输入电阻和输出电阻等，可以得到MOSFET的频率响应和放大特性。
3. 转移特性曲线测量：测量不同门极电压下的漏极电流，绘制转移特性曲线（ID-VG曲线），可以了解MOSFET的门限电压、饱和区和截止区的特性。
4. 输出特性曲线测量：测量不同漏极电压下的漏极电流，绘制输出特性曲线（ID-VD曲线），可以了解MOSFET的漏极电流随着漏极电压变化的规律。
以上是几种常见的贴片场效应管测量方法，通过这些方法可以全面了解并评估MOSFET的性能和特性。
