PMOS(金属氧化物半导体存留器)是一种存储器类型的电子器件，通常由三个主要部分组成：n型半导体基片、p型半导体源极和d源极(即控制极),以及一个空白栅层。
下面是PMOS结构图和原理：
该结构图描绘了PMOS器件的基本组成部分，其中n型半导体基片是存储区域，p型半导体源极是极性，d源极和空白栅层是控制极，控制极与源极之间的区域是漏极。当电池放电时，电流流过p型半导体源极，从而形成一个电场，将电荷从源极流向d源极和空白栅层，从而在空白栅层上形成一个电荷积累，这个电荷积累也可以用于控制半导体基片中的电流。当电荷积累达到足够的浓度时，就会开始腐蚀空白栅层，导致半导体基片变软和变形，从而改变其导电性质，最终导致器件失效或损坏。因此，MOSFETFET中的栅极电压也是一个非常重要的参数，它影响着器件的导电性质和存储容量。
PMOS是MOS场效应管的一种，是一种类型与N型区域相反的MOS管。下面是PMOS的结构图和原理：
结构图：
PMOS管的结构正好与NMOS相反，其中P型基底代替了N型基底，P型源极和漏极代替了N型的漏极和源极，同时加入N型沟道区，并被P型基底所夹。PN结的正极连接于正电压，负极连接于地线，而栅极接有控制信号输入。
原理：
在PMOS的工作原理中，当控制信号输入时，栅源电压Vgs小于或等于零，因此PMOS导通。此时，沟道区被形成，外加的电压将被扩散到P型基底，使得沟道的电荷载体变成正离子，产生漂移电流。当控制信号为高电平时，PMOS截止，PMOS的漏极和源极之间的电阻非常大，几乎相当于一个开关断开了电路。因此，PMOS主要用于异或门、静态随机存取存储器（SRAM）等逆逻辑电路的设计中。
总之，PMOS是一种特殊类型的MOS管，其结构与工作原理与NMOS相反。以上是PMOS的结构图和原理，希望能对您有所帮助。
