异质结电池全称为本征薄膜异质结电池，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅（a-Si）和晶体硅（c-Si）材料形成的（背面的高低结亦然）。
HIT电池结构：
在电池新技术方面，异质结电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势，加之其制造工艺流程较短，未来成本下降空间较大。
从光伏电站的业主视角出发，应用HJT技术后，光伏电池片的转换效率从22.3%提升至24%，即同等占地面积的电站，年发电量约增加7.6%。
异质结技术不仅具备优异的转换效率，而且生产工艺步骤相对简单。与需要10余项流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工艺流程相当简洁，首先，与常规电池处理一致，对机械切割后的硅片表面进行蚀刻、制绒处理。随后，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积（PVD）技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化处理，便可得到异质结电池。
