三维异构堆叠方法，具体包括如下步骤：
101)垫层制作步骤：载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成垫层，垫层厚度范围在10nm到100um之间；或者通过物理溅射，磁控溅射、蒸镀工艺或者电镀金属在载板上表面制作垫层；
通过光刻和刻蚀工艺去除部分垫层，剩余垫层形成凸点或焊圈；刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀；
102)再次处理步骤：在垫层上制作种子层，种子层上涂布光刻胶，通过显影工艺去除部分种子层露出待电镀区域，电镀金属和顶层焊锡；且电镀的金属上表面形成与凸点或焊圈相一致的结构；
103)去除步骤：去除光刻胶，湿法去除种子层；涂助焊剂，回流后清洗助焊剂得到表面带有焊锡层的凸点或焊圈；
104)防溢步骤：将芯片设置在步骤103)的焊锡上形成新芯片模组，将新芯片模组与传统芯片模组进行焊接，使两者凸点或焊圈紧密结合形成凹槽区完成防溢锡结构三维堆叠。
进一步的，垫层本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合；种子层、电镀的金属、焊锡本身结构都为一层或多层结构，厚度范围都在1nm到100um，材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。
