场效应MOS管FCA35N60参数：
PD最大耗散功率：312.5W
ID最大漏源电流：35A
V(BR)DSS漏源击穿电压：600V
RDS(ON)Ω内阻：0.098Ω
VRDS(ON)ld通态电流：17.5A
VRDS(ON)栅极电压：10V
VGS(th)V开启电压：3~5V
VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA
35n60c3场效应管参数:
1.低比导通电阻（RDS（on）*A；2.400V时输出电容（Eoss）储能非常低；3.低栅电荷（Qg）；4.经现场验证的CoolMOS™质量；5.自1998年起，英飞凌就开始生产CoolMOS™技术。
场效应管SPW35N60C3的优势：1.高效率和功率密度；2.卓越的成本/性能；3.高可靠性；4.易用性。
场效应管SPW35N60C3的应用：1.服务器；2.电信；3.消费电子；4.PC电源；5.适配器。
