看来你是不了解PN结的实质。假设一块掺杂半导体,左侧为P型半导体,右侧是N型半导体。由于P型半导体空穴多,N型半导体电子多由于扩散作用而形成PN结,如果加正向电压,左侧P型半导体的空穴由于(可认为带正电)电场作用而导致向右运动,而N型半导体电子向左运动,从而填补了空间电荷区的一部分空间,因而PN结变窄了。
看来你是不了解PN结的实质。假设一块掺杂半导体,左侧为P型半导体,右侧是N型半导体。由于P型半导体空穴多,N型半导体电子多由于扩散作用而形成PN结,如果加正向电压,左侧P型半导体的空穴由于(可认为带正电)电场作用而导致向右运动,而N型半导体电子向左运动,从而填补了空间电荷区的一部分空间,因而PN结变窄了。