因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷，靠近N区积累正电荷。
当加正向电压时，即P区加正，N区加负，在电场力的作用下，有利于P区的多子——空穴，向N区方向移动，使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴，从而使负电荷层变窄。同理，N区的多子——自由电子也向P区方向漂移，使N区的正电荷层变窄。即整个PN结的空间电荷区变窄了。
当加反向电压时，即P区加负，N区加正，这时P区的多子——空穴，在电场力的作用下，会向远离PN结的P区边缘移动，P区粒子失去空穴，使负电荷区变厚。N区的多子同样会向远离PN结的N区边缘移动,使N区的正电荷区加宽。即整个PN结变厚了。
