IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件,是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的,性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。
IGBT的工作原理:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件,是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的,性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。
IGBT的工作原理:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。