NCE6075K参数
制造商
无锡新洁能股份有限公司
产品种类
MOSFET
产品特性
N沟道增强型功率MOSFET
漏源极击穿电压（最大）
60V
连续漏极电流（最大）
75A
功率耗散（最大）
100W
栅源极击穿电压
20V
漏源导通电阻（典型值）(10V)
9.1mΩ
封装
TO252
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