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nce6075k场效应管参数

nce6075k场效应管参数

更新时间:2024-05-01 13:50:48

nce6075k场效应管参数

NCE6075K参数

制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

60V

连续漏极电流(最大)

75A

功率耗散(最大)

100W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

9.1mΩ

封装

TO252

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