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晶体管存储原理(晶体管的三种工作状态示意图)

晶体管存储原理(晶体管的三种工作状态示意图)

更新时间:2024-04-11 13:04:30

晶体管存储原理

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。

由晶体管做成锁存器的结构,该锁存器就能存储0或1的状态。另一种方式,将晶体管做成浮栅结构,即在氧化层和金属之间加一层栅极,该栅极内存储电荷的多少影响晶体管的阈值电压,通过阈值电压的不同即可读出存储器内的信息。

DRAM由晶体管和小容f电容存储单元组成。每个存储单元都有一小的蚀刻晶体管,这个晶体管通过小电容的电荷保持存储状态,即开和关。电容类似于小充电电池。它可以用电压充电以代表1,放电后代表0,但是被充电的电容会因放电而丢掉电荷,所以它们必须由一新电荷持续地“刷新气。

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