低压情况下,短时的磁饱和会使元器件过热,时间长了会导致元器件损坏,但是在高压情况下,一般会导致炸机。
在磁饱和时,一次绕组的电感量LP会明显降低,这个时候一次绕组的直流电阻和内部MOSFET管上的功耗迅速增加,导致一次侧电流急剧增大。导致MOSFET管损坏。
低压情况下,短时的磁饱和会使元器件过热,时间长了会导致元器件损坏,但是在高压情况下,一般会导致炸机。
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