功率集成模块:IGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路集成在一起，以降低损耗和降低成本，这种新型模块称为功率集成模块，简称PIM(Power Integrated Modue)。
解决低损耗；IGBT模块是一种高速开关，第四代IGBT在开发中主要采取如下几项新技术；
FWD（Free Wheeling Diode）技术；即在模块中选用降低正向电压（VF）的二极管器件，据测试在600V和1200V系列中，逆变器载波频率为10KHz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。
模块单元进行蚀刻的微细化技术；由于控制极的宽度（LH）已达到最佳化设计，故集电—射极之间的饱和电压VCE（sat）可降低0.5V，使开关损耗降低。
