CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。
CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出,需要专用的工艺制程实现;CIS图像感光单元为光电二极管,可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现,除此之外还可将图像处理电路集成,实现更高的集成度和更低的功耗。
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。
CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出,需要专用的工艺制程实现;CIS图像感光单元为光电二极管,可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现,除此之外还可将图像处理电路集成,实现更高的集成度和更低的功耗。