固态硬盘的写入寿命通常约为10-20年。举例来看,TLC颗粒固态驱动器,其擦除频率约为1000 P / E,如果我们每天向GALAXY ONE 120G SSD写入10GB数据,则SSD的寿命= 120GB * 1000/10/365 = 33年。
固态硬盘闪存存在擦除和写入次数有限的问题,这就是为什么许批评其寿命短的原因。闪存的完整擦除和写入称为1 P / E,因此闪存的寿命取决于P / E。 34nm闪存芯片的寿命约为5000 P / E,25nm闪存的寿命约为3000 P / E。
固态硬盘的写入寿命通常约为10-20年。举例来看,TLC颗粒固态驱动器,其擦除频率约为1000 P / E,如果我们每天向GALAXY ONE 120G SSD写入10GB数据,则SSD的寿命= 120GB * 1000/10/365 = 33年。
固态硬盘闪存存在擦除和写入次数有限的问题,这就是为什么许批评其寿命短的原因。闪存的完整擦除和写入称为1 P / E,因此闪存的寿命取决于P / E。 34nm闪存芯片的寿命约为5000 P / E,25nm闪存的寿命约为3000 P / E。