步骤如下
上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗
一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入
先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻
上掩膜! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) -- 光刻
步骤如下
上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗
一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入
先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻
上掩膜! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) -- 光刻