碳化硅半导体发展前景（碳化硅龙头上市公司）

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大,热导率高,电子饱和漂移率大,临界击穿电场高,介电常数低及化学稳定性好等诸多优点,是具有广阔前景的第三代半导体材料.