SiC材料的能带和高温稳定性使得它在高温半导体元件方面有无可比拟的优势。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作温度可达500℃以上,提供工作于极端环境下的电子系统,在军用武器系统、航空航太、石油地质勘探等领域应用广泛。
SiC材料的能带和高温稳定性使得它在高温半导体元件方面有无可比拟的优势。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作温度可达500℃以上,提供工作于极端环境下的电子系统,在军用武器系统、航空航太、石油地质勘探等领域应用广泛。